FDMB2308PZ

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

MicroFET-6

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

7 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

36 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

900 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

12 V

Qg - Carga de puerta:

22 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

2.2 W

Configuración:

Doble

Nombre comercial:

PowerTrench

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.75 mm

Longitud:

3 mm

Serie:

FDMB2308PZ

Tipo de transistor:

2 P-Channel

Ancho:

2 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconductancia directa - Mín .:

29 S

Otoño:

58 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

33 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

74 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

14 ns

Unidad de peso:

0.000423 oz

Tags

FDMB2, FDMB, FDM