BSZ100N03MS G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TSDSON-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

40 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

7.3 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

23 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

30 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

OptiMOS

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.1 mm

Longitud:

3.3 mm

Serie:

OptiMOS 3M

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

3.3 mm

Marca:

Infineon Technologies

Transconductancia directa - Mín .:

26 S

Otoño:

2.4 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

2.8 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

5000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

16 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

3.8 ns

Parte # Alias:

BSZ100N03MSGATMA1 BSZ1N3MSGXT SP000311510

Tags

BSZ100N03MSG, BSZ100N03M, BSZ100N03, BSZ100, BSZ10, BSZ1, BSZ