FDMS86150ET100

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

Power-56-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

100 V

Id - Corriente de drenaje continua:

128 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

3.9 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

44 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

187 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

PowerTrench Power Clip

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.8 mm

Longitud:

3.3 mm

Serie:

FDMS86150ET100

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

3.3 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconductancia directa - Mín .:

53 S

Otoño:

6 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

8.3 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

28 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

18 ns

Unidad de peso:

0.001993 oz

Tags

FDMS86150, FDMS8615, FDMS861, FDMS86, FDMS8, FDMS, FDM