MSD2714AT1G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

Transistores bipolares - BJT

RoHS:

Y

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SC-59-3

Polaridad del transistor:

NPN

Configuración:

Único

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

25 V

Colector- Voltaje base VCBO:

30 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

3 V

Producto de ganancia de ancho de banda fT:

650 MHz

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Altura:

1.09 mm

Longitud:

2.9 mm

Embalaje:

Carrete

Ancho:

1.5 mm

Marca:

EN Semiconductor

Colector de CC / Ganancia base hfe Min:

90

Pd - Disipación de energía:

225 mW

Tipo de producto:

BJT - Transistores bipolares

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

Transistores

Unidad de peso:

0.000282 oz

Tags

MSD27, MSD2, MSD