SQD100N02_3M5L4GE3

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Vishay

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TO-252-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

100 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

3.5 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.5 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

110 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

83 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Calificación:

AEC-Q101

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Marca:

Vishay

Transconductancia directa - Mín .:

186 S

Otoño:

15 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

5 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

1

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

38 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

15 ns

Tags

SQD100N02, SQD100N, SQD100, SQD10, SQD1, SQD