SP8M4FU6TB

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor ROHM

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOP-8

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N, canal P

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

9 A, 7 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

18 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

2 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.5 mm

Longitud:

5 mm

Serie:

SP8M4

Tipo de transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Ancho:

4.4 mm

Marca:

Semiconductor ROHM

Otoño:

22 ns, 70 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

15 ns, 50 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

55 ns, 110 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

10 ns, 20 ns

Parte # Alias:

SP8M4

Unidad de peso:

0.030018 oz

Tags

SP8M4FU, SP8M4F, SP8M4, SP8M, SP8