AUIRF7769L2TR

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

DirectFET-L8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

100 V

Id - Corriente de drenaje continua:

124 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

3.5 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

200 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

125 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Calificación:

AEC-Q101

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.74 mm

Longitud:

9.15 mm

Ancho:

7.1 mm

Marca:

Infineon / IR

Transconductancia directa - Mín .:

410 S

Otoño:

41 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

32 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

4000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

92 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

44 ns

Parte # Alias:

SP001522786

Tags

AUIRF77, AUIRF7, AUIRF, AUIR, AUI