CSD75207W15

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Instrumentos Texas

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

DSBGA-9

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

3.9 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

54 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

600 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

4.5 V

Qg - Carga de puerta:

2.9 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

0.7 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

NexFET

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.62 mm

Longitud:

1.5 mm

Serie:

CSD75207W15

Tipo de transistor:

2 P-Channel

Ancho:

1.5 mm

Marca:

Instrumentos Texas

Transconductancia directa - Mín .:

6.2 S

Otoño:

16 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

8.6 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

32.1 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

12.8 ns

Unidad de peso:

0.000088 oz

Tags

CSD7520, CSD752, CSD75, CSD7, CSD