SI1016CX-T1-GE3

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Vishay

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SC-89-6

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N, canal P

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

350 mA, 500 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

396 mOhms, 756 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

400 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

8 V

Qg - Carga de puerta:

1.3 nC, 1.65 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

220 mW

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

TrenchFET

Embalaje:

Carrete

Serie:

SI1

Tipo de transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Marca:

Vishay / Siliconix

Transconductancia directa - Mín .:

1 S, 2 S

Otoño:

8 ns, 11 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

10 ns, 16 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

10 ns, 26 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

9 ns, 11 ns

Unidad de peso:

0.000106 oz

Tags

SI1016C, SI1016, SI101, SI10, SI1