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IXTN660N04T4

IXTN660N04T4
Mfr. #:
IXTN660N04T4
Fabricante:
Littelfuse
Descripción:
MOSFET 40V/660A TrenchT4 Power MOSFET
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
IXTN660N04T4 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
IXTN660N04T4 DatasheetIXTN660N04T4 Datasheet (P4-P6)
ECAD Model:
Más información:
IXTN660N04T4 más información
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante:
IXYS
Categoria de producto:
MOSFET
RoHS:
Y
Tecnología:
Si
Estilo de montaje:
Montaje en chasis
Paquete / Caja:
SOT-227-4
Número de canales:
1 Channel
Polaridad del transistor:
Canal N
Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:
40 V
Id - Corriente de drenaje continua:
660 A
Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:
850 uOhms
Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:
2 V
Vgs - Voltaje puerta-fuente:
10 V
Qg - Carga de puerta:
860 nC
Temperatura mínima de funcionamiento:
- 55 C
Temperatura máxima de funcionamiento:
+ 175 C
Pd - Disipación de energía:
1040 W
Configuración:
Único
Modo de canal:
Mejora
Nombre comercial:
HiPerFET
Embalaje:
Tubo
Serie:
Gen4
Tipo de transistor:
1 N-Channel
Marca:
IXYS
Transconductancia directa - Mín .:
110 S
Otoño:
260 ns
Tipo de producto:
MOSFET
Hora de levantarse:
430 ns
Cantidad de paquete de fábrica:
10
Subcategoría:
MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico:
386 ns
Tiempo típico de retardo de encendido:
40 ns
Unidad de peso:
1.058219 oz
Tags
IXTN6, IXTN, IXT
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***i-Key
40V/660A TRENCHT4 PWR MOSFET SOT
Electrical Vehicle DC Fast Chargers
DC charging stations are designed to convert the electrical grid’s AC power into DC power that can then be fed directly into a vehicle’s battery system for fast charging – in 30 minutes or less. Because the conversion from AC to DC power is being done in the charging station, these units can provide higher levels of power (50kW to 350kW and beyond) to the vehicle compared to AC charging stations. Working with tens to hundreds of kilowatts of power, efficient conversion, reliability of the system, and user safety are critical.
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
IXTN660N04T4
DISTI # V36:1790_19817252		IXYS CorporationTrans MOSFET N-CH 40V 660A 4-Pin SOT-227B Tube0
    IXTN660N04T4
    DISTI # IXTN660N04T4-ND    		IXYS Corporation40V/660A TRENCHT4 PWR MOSFET SOT
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 1
    Container: Tube    		81In Stock
    • 500:$14.7840
    • 100:$16.6848
    • 30:$17.9520
    • 10:$19.5360
    • 1:$21.1200
    IXTN660N04T4
    DISTI # 747-IXTN660N04T4    		IXYS CorporationMOSFET 40V/660A TrenchT4 Power MOSFET
    RoHS: Compliant    		67
    • 1:$21.1200
    • 5:$20.0700
    • 10:$19.5300
    • 25:$17.9500
    • 50:$17.1900
    • 100:$16.6800
    • 200:$15.3100
    • 500:$14.5700
    Imagen Parte # Descripción
    INA240A4EDRQ1

    Mfr.#: INA240A4EDRQ1

    OMO.#: OMO-INA240A4EDRQ1

    		 Current Sense Amplifiers WIDE CM BI-DIR CURRENT SHUNT MONITOR
    INA317IDGKR

    Mfr.#: INA317IDGKR

    OMO.#: OMO-INA317IDGKR

    		 Instrumentation Amplifiers LOW POWER INSTRUMENTATION AMP
    CMPT2222A TR

    Mfr.#: CMPT2222A TR

    OMO.#: OMO-CMPT2222A-TR

    		 Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Purpose
    ZDT6702TA

    Mfr.#: ZDT6702TA

    OMO.#: OMO-ZDT6702TA

    		 Darlington Transistors NPN/PNP Darl 20V
    IXFN520N075T2

    Mfr.#: IXFN520N075T2

    OMO.#: OMO-IXFN520N075T2

    		 MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
    DSS2X101-015A

    Mfr.#: DSS2X101-015A

    OMO.#: OMO-DSS2X101-015A

    		 Schottky Diodes & Rectifiers 150V 2X100A
    BLED112-V1

    Mfr.#: BLED112-V1

    OMO.#: OMO-BLED112-V1

    		 Bluetooth Modules (802.15.1) Bluegiga BLED112 Bluetooth Low Energy USB Dongle ready for Linux, Android and Windows devices BLE 4.
    S8401-46

    Mfr.#: S8401-46

    OMO.#: OMO-S8401-46-HARWIN

    		 Battery Holders, Clips & Contacts Coin Cell Battery Holders EZ BDWR, SMT COIN CELL HOLDR CR2032 20
    IXFN520N075T2

    Mfr.#: IXFN520N075T2

    OMO.#: OMO-IXFN520N075T2-IXYS-CORPORATION

    		 MOSFET N-CH 75V 480A SOT227
    INA317IDGKR

    Mfr.#: INA317IDGKR

    OMO.#: OMO-INA317IDGKR-TEXAS-INSTRUMENTS

    		 LOW POWER INSTRUMENTATION AMP
    Disponibilidad
    Valores:
    286
    En orden:
    2269
    Ingrese la cantidad:
    El precio actual de IXTN660N04T4 es solo de referencia, si desea obtener el mejor precio, envíe una consulta o envíe un correo electrónico directo a nuestro equipo de ventas [email protected]
    Precio de referencia (USD)
    Cantidad
    Precio unitario
    Ext. Precio
    1
    21,12 US$
    21,12 US$
    5
    20,07 US$
    100,35 US$
    10
    19,53 US$
    195,30 US$
    25
    17,95 US$
    448,75 US$
    50
    17,19 US$
    859,50 US$
    100
    16,68 US$
    1 668,00 US$
    200
    15,31 US$
    3 062,00 US$
    500
    14,57 US$
    7 285,00 US$
    Debido a la escasez de semiconductores a partir de 2021, el precio inferior es el precio normal antes de 2021. Envíe una consulta para confirmar.
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