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IXFH320N10T2

IXFH320N10T2
Mfr. #:
IXFH320N10T2
Fabricante:
Littelfuse
Descripción:
Darlington Transistors MOSFET TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 100V 320A
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
IXFH320N10T2 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Más información:
IXFH320N10T2 más información
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante
IXYS
categoria de producto
FET - Single
Serie
HiPerFET, TrenchT2
embalaje
Tubo
Unidad de peso
0.229281 oz
Estilo de montaje
A través del orificio
Nombre comercial
HiPerFET
Paquete-Estuche
TO-247-3
Tecnología
Si
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
A través del orificio
Número de canales
1 Channel
Paquete de dispositivo de proveedor
TO-247AD (IXFH)
Configuración
Único
Tipo FET
Canal N MOSFET, óxido metálico
Potencia máxima
1000W
Tipo transistor
1 N-Channel
Drenaje-a-fuente-voltaje-Vdss
100V
Entrada-Capacitancia-Ciss-Vds
26000pF @ 25V
Función FET
Estándar
Corriente-Continuo-Drenaje-Id-25 ° C
320A (Tc)
Rds-On-Max-Id-Vgs
3.5 mOhm @ 100A, 10V
Vgs-th-Max-Id
4V @ 250μA
Puerta-Carga-Qg-Vgs
430nC @ 10V
Disipación de potencia Pd
1 kW
Temperatura máxima de funcionamiento
+ 175 C
Temperatura mínima de funcionamiento
- 55 C
Otoño
177 ns
Hora de levantarse
46 ns
Vgs-Puerta-Fuente-Voltaje
20 V
Id-corriente-de-drenaje-continua
320 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
100 V
Vgs-th-Gate-Source-Threshold-Voltage
4 V
Resistencia a la fuente de desagüe de Rds
3.5 mOhms
Polaridad del transistor
Canal N
Tiempo de retardo de apagado típico
73 ns
Tiempo de retardo de encendido típico
36 ns
Qg-Gate-Charge
430 nC
Transconductancia directa-Mín.
130 S
Modo de canal
Mejora
Tags
IXFH32, IXFH3, IXFH, IXF
Service Guarantees

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Quality Guarantees

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Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***p One Stop Global
Trans MOSFET N-CH 100V 320A 3-Pin(3+Tab) TO-247
***i-Key
MOSFET N-CH 100V 320A TO-247
***ukat
N-Ch 100V 320A 1000W 0,0035R TO247AD
Electrical Vehicle DC Fast Chargers
DC charging stations are designed to convert the electrical grid’s AC power into DC power that can then be fed directly into a vehicle’s battery system for fast charging – in 30 minutes or less. Because the conversion from AC to DC power is being done in the charging station, these units can provide higher levels of power (50kW to 350kW and beyond) to the vehicle compared to AC charging stations. Working with tens to hundreds of kilowatts of power, efficient conversion, reliability of the system, and user safety are critical.
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
IXFH320N10T2
DISTI # V99:2348_15877816		IXYS CorporationTrans MOSFET N-CH 100V 320A 3-Pin(3+Tab) TO-247
RoHS: Compliant		24
  • 1000:$6.7930
  • 500:$7.1390
  • 250:$7.7830
  • 100:$8.4680
  • 50:$8.7180
  • 25:$9.3520
  • 10:$10.9350
  • 1:$11.9930
IXFH320N10T2
DISTI # IXFH320N10T2-ND		IXYS CorporationMOSFET N-CH 100V 320A TO-247
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Tube		1964In Stock
  • 510:$8.3545
  • 120:$9.9715
  • 30:$11.0497
  • 1:$13.4800
IXFH320N10T2
DISTI # 30354394		IXYS CorporationTrans MOSFET N-CH 100V 320A 3-Pin(3+Tab) TO-247
RoHS: Compliant		24
  • 10:$10.9350
  • 1:$11.9930
IXFH320N10T2
DISTI # 747-IXFH320N10T2		IXYS CorporationMOSFET TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 100V 320A
RoHS: Compliant		906
  • 1:$14.0800
  • 10:$12.6800
  • 25:$10.5500
  • 50:$9.8000
  • 100:$9.5800
  • 250:$8.7500
  • 500:$7.9800
  • 1000:$7.6100
IXFH320N10T2
DISTI # C1S331700118022		IXYS CorporationTrans MOSFET N-CH 100V 320A 3-Pin(3+Tab) TO-247
RoHS: Compliant		24
  • 30:$13.4800
Imagen Parte # Descripción
IXFH32N100X

Mfr.#: IXFH32N100X

OMO.#: OMO-IXFH32N100X

 MOSFET 1000V 32A TO-247 Power MOSFET
IXFH320N10T2

Mfr.#: IXFH320N10T2

OMO.#: OMO-IXFH320N10T2

 MOSFET TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 100V 320A
IXFH32N500Q

Mfr.#: IXFH32N500Q

OMO.#: OMO-IXFH32N500Q-1190

 Nuevo y original
IXFH32N50P

Mfr.#: IXFH32N50P

OMO.#: OMO-IXFH32N50P-1190

 Nuevo y original
IXFH32N48

Mfr.#: IXFH32N48

OMO.#: OMO-IXFH32N48-IXYS-CORPORATION

 MOSFET N-CH 480V 32A TO247AD
IXFH32N100X

Mfr.#: IXFH32N100X

OMO.#: OMO-IXFH32N100X-IXYS-CORPORATION

 MOSFET 1KV 32A ULTRA JCT TO-247
IXFH32N48Q

Mfr.#: IXFH32N48Q

OMO.#: OMO-IXFH32N48Q-IXYS-CORPORATION

 MOSFET N-CH 480V 32A TO247AD
IXFH320N10T2

Mfr.#: IXFH320N10T2

OMO.#: OMO-IXFH320N10T2-IXYS-CORPORATION

 Darlington Transistors MOSFET TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 100V 320A
IXFH32N50

Mfr.#: IXFH32N50

OMO.#: OMO-IXFH32N50-IXYS-CORPORATION

 MOSFET 500V 32A
IXFH32N50Q

Mfr.#: IXFH32N50Q

OMO.#: OMO-IXFH32N50Q-IXYS-CORPORATION

 MOSFET 32 Amps 500V 0.15 Rds
Disponibilidad
Valores:
Available
En orden:
4500
Ingrese la cantidad:
El precio actual de IXFH320N10T2 es solo de referencia, si desea obtener el mejor precio, envíe una consulta o envíe un correo electrónico directo a nuestro equipo de ventas [email protected]
Precio de referencia (USD)
Cantidad
Precio unitario
Ext. Precio
1
10,19 US$
10,19 US$
10
9,68 US$
96,80 US$
100
9,17 US$
917,06 US$
500
8,66 US$
4 330,55 US$
1000
8,15 US$
8 151,60 US$
Debido a la escasez de semiconductores a partir de 2021, el precio inferior es el precio normal antes de 2021. Envíe una consulta para confirmar.
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