SSM6N7002FUTE85LF

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Toshiba

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-363-6

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

60 V

Id - Corriente de drenaje continua:

200 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

3.3 Ohms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2.5 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

300 mW

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.9 mm

Longitud:

2 mm

Producto:

Pequeña señal MOSFET

Serie:

SSM6N7002

Tipo de transistor:

2 N-Channel

Ancho:

1.25 mm

Marca:

Toshiba

Transconductancia directa - Mín .:

170 mS

Otoño:

72 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

72 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

69 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

18 ns

Unidad de peso:

0.000265 oz

Tags

SSM6N7002F, SSM6N7, SSM6N, SSM6, SSM