IPS118N10N G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-251-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

100 V

Id - Corriente de drenaje continua:

75 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

11.8 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

125 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Tubo

Altura:

6.22 mm

Longitud:

6.73 mm

Serie:

IPS118N10

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

2.38 mm

Marca:

Infineon Technologies

Otoño:

8 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

21 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

1500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

32 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

17 ns

Parte # Alias:

SP000680974

Unidad de peso:

0.139332 oz

Tags

IPS11, IPS1, IPS