SQUN702E-T1_GE3

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Vishay

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

Die

Número de canales:

3 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N, canal P

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

40 V, 200 V

Id - Corriente de drenaje continua:

20 A, 30 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

9.2 mOhms, 30 mOhms, 60 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.5 V, 2.5 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

14 nC, 23 nC, 30.2 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

48 W, 60 W

Configuración:

Triple

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

TrenchFET

Embalaje:

Carrete

Tipo de transistor:

2 N-Channel, 1 P-Channel

Marca:

Vishay / Siliconix

Transconductancia directa - Mín .:

16 S, 19 S, 65 S

Otoño:

2 ns, 10 ns, 19 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

3 ns, 9 ns, 12 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

15 ns, 22 ns, 43 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

7 ns, 8 ns, 10 ns

Tags

SQU