FDD6637-F085

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TO-252-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

35 V

Id - Corriente de drenaje continua:

55 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

11.6 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

25 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

3.1 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Calificación:

AEC-Q101

Nombre comercial:

PowerTrench

Altura:

2.39 mm

Longitud:

6.73 mm

Serie:

FDD6637_F085

Tipo de transistor:

1 P-Channel

Escribe:

Power Trench MOSFET

Ancho:

6.22 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconductancia directa - Mín .:

35 S

Otoño:

36 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

10 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

62 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

18 ns

Parte # Alias:

FDD6637_F085

Unidad de peso:

0.009184 oz

Tags

FDD6637, FDD663, FDD66, FDD6, FDD