TK10P60W,RVQ

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Toshiba

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TO-252-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

600 V

Id - Corriente de drenaje continua:

9.7 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

380 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

3.7 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

30 V

Qg - Carga de puerta:

20 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

80 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

2.3 mm

Longitud:

6.5 mm

Serie:

TK10P60W

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

5.5 mm

Marca:

Toshiba

Otoño:

5.5 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

22 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

75 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

45 ns

Unidad de peso:

0.139332 oz

Tags

TK10P, TK10, TK1