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SI4936ADY-T1-GE3

SI4936ADY-T1-GE3
Mfr. #:
SI4936ADY-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
Descripción:
RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 5.9A 2.0W 36mohm @ 10V
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
SI4936ADY-T1-GE3 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Más información:
SI4936ADY-T1-GE3 más información
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante
Vishay Siliconix
categoria de producto
FET: matrices
Serie
TrincheraFETR
embalaje
Tape & Reel (TR)
Alias ​​de parte
SI4936ADY-GE3
Unidad de peso
0.017870 oz
Estilo de montaje
SMD / SMT
Paquete-Estuche
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tecnología
Si
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Número de canales
2 Channel
Paquete de dispositivo de proveedor
8-SO
Configuración
Doble
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Potencia máxima
1.1W
Tipo transistor
2 N-Channel
Drenaje-a-fuente-voltaje-Vdss
30V
Entrada-Capacitancia-Ciss-Vds
-
Función FET
Puerta de nivel lógico
Corriente-Continuo-Drenaje-Id-25 ° C
4.4A
Rds-On-Max-Id-Vgs
36 mOhm @ 5.9A, 10V
Vgs-th-Max-Id
3V @ 250μA
Puerta-Carga-Qg-Vgs
20nC @ 10V
Disipación de potencia Pd
1.1 W
Temperatura máxima de funcionamiento
+ 150 C
Temperatura mínima de funcionamiento
- 55 C
Otoño
5 ns
Hora de levantarse
14 ns
Vgs-Puerta-Fuente-Voltaje
20 V
Id-corriente-de-drenaje-continua
5.9 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
30 V
Resistencia a la fuente de desagüe de Rds
36 mOhms
Polaridad del transistor
Canal N
Tiempo de retardo de apagado típico
30 ns
Tiempo de retardo de encendido típico
6 ns
Modo de canal
Mejora
Tags
SI4936ADY-T1, SI4936ADY-T, SI4936AD, SI4936A, SI4936, SI493, SI49, SI4
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et
Transistor MOSFET Array Dual N-Channel 30V 4.4A 8-Pin SOIC N T/R
***et Europe
Trans MOSFET N-CH 30V 4.4A 8-Pin SOIC N T/R
***
SOIC8 DUAL 30V N-CH TRENCH
Si4 MOSFETs
Vishay/Siliconix Si4 MOSFETs are TrenchFET® power MOSFETs used for amplifying electronic signals. These Si4 MOSFETs are available in N-channel, P-channel, and N- & P-channel. The Si4 MOSFETs offer different VGS, VDS, and temperature ranges. The Si4 MOSFETs operate in an enhancement mode and used for switching between electronic signals. These MOSFETs are a surface mount, 100% Rg and UIS tested, and comes in a reel-package.Learn More
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
SI4936ADY-T1-GE3
DISTI # SI4936ADY-T1-GE3-ND		Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 4.4A 8-SOIC
RoHS: Compliant
Min Qty: 2500
Container: Tape & Reel (TR)		Temporarily Out of Stock
  • 2500:$0.9504
SI4936ADY-T1-GE3
DISTI # SI4936ADY-T1-GE3		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 4.4A 8-Pin SOIC N T/R - Tape and Reel (Alt: SI4936ADY-T1-GE3)
RoHS: Not Compliant
Min Qty: 2500
Container: Reel		Americas - 0
  • 2500:$0.4249
  • 5000:$0.4119
  • 10000:$0.3949
  • 15000:$0.3839
  • 25000:$0.3739
SI4936ADY-T1-GE3
DISTI # 781-SI4936ADY-GE3		Vishay IntertechnologiesMOSFET 30V 5.9A 2.0W 36mohm @ 10V
RoHS: Compliant		0
  • 2500:$0.6150
  • 5000:$0.5840
  • 10000:$0.5620
Imagen Parte # Descripción
SI4936ADY-T1-E3

Mfr.#: SI4936ADY-T1-E3

OMO.#: OMO-SI4936ADY-T1-E3

 MOSFET 30V 5.9A 2W
SI4936ADY-T1-GE3

Mfr.#: SI4936ADY-T1-GE3

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 MOSFET 30V 5.9A 2.0W 36mohm @ 10V
SI4936ADY-T1-GE3

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OMO.#: OMO-SI4936ADY-T1-GE3-VISHAY

 RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 5.9A 2.0W 36mohm @ 10V
SI4936ADY

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OMO.#: OMO-SI4936ADY-1190

 MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4936ADY-T1-E3
SI4936ADY-E1

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 Nuevo y original
SI4936ADY-T1

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 MOSFET 30V 5.9A 2W
SI4936ADY-T1-E

Mfr.#: SI4936ADY-T1-E

OMO.#: OMO-SI4936ADY-T1-E-1190

 Nuevo y original
SI4936ADY-T1-E3

Mfr.#: SI4936ADY-T1-E3

OMO.#: OMO-SI4936ADY-T1-E3-VISHAY

 MOSFET 2N-CH 30V 4.4A 8-SOIC
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SI4936ADY-TI-E3

Mfr.#: SI4936ADY-TI-E3

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Disponibilidad
Valores:
Available
En orden:
1500
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Precio de referencia (USD)
Cantidad
Precio unitario
Ext. Precio
1
0,56 US$
0,56 US$
10
0,53 US$
5,33 US$
100
0,50 US$
50,48 US$
500
0,48 US$
238,35 US$
1000
0,45 US$
448,70 US$
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