FQB22P10TM-F085

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TO-263-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

100 V

Id - Corriente de drenaje continua:

22 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

125 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

30 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

3.75 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Calificación:

AEC-Q101

Nombre comercial:

QFET

Embalaje:

Carrete

Altura:

4.83 mm

Longitud:

10.67 mm

Serie:

FQB22P10TM_F085

Tipo de transistor:

1 P-Channel

Ancho:

9.65 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Otoño:

110 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

170 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

800

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

60 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

17 ns

Parte # Alias:

FQB22P10TM_F085

Unidad de peso:

0.045856 oz

Tags

FQB22P10T, FQB22P, FQB22, FQB2, FQB