PSMN015-110P,127

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Nexperia

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-220-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

110 V

Id - Corriente de drenaje continua:

75 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

40.5 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

300 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Tubo

Altura:

9.4 mm

Longitud:

10.3 mm

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

4.7 mm

Marca:

Nexperia

Otoño:

50 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

65 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

50

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

95 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

25 ns

Parte # Alias:

PSMN015-110P

Unidad de peso:

0.211644 oz

Tags

PSMN015-11, PSMN015-1, PSMN015, PSMN01, PSMN0, PSMN, PSM