APT8M100B

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Pastilla

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-247-3

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

1 kV

Id - Corriente de drenaje continua:

8 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

1.53 Ohms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

4 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

30 V

Qg - Carga de puerta:

60 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

290 W

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

POWER MOS 8

Embalaje:

Tubo

Altura:

5.31 mm

Longitud:

21.46 mm

Ancho:

16.26 mm

Marca:

Microchip / Microsemi

Transconductancia directa - Mín .:

7.5 S

Otoño:

7.2 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

7.8 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

1

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

29 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

8.5 ns

Unidad de peso:

1.340411 oz

Tags

APT8, APT