DMP45H4D9HJ3

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Diodos incorporados

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-251-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

450 V

Id - Corriente de drenaje continua:

4.6 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

3.1 Ohms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

5 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

30 V

Qg - Carga de puerta:

13.7 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

104 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Tipo de transistor:

1 P-Channel

Marca:

Diodos incorporados

Otoño:

31 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

40 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

75

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

32 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

19 ns

Unidad de peso:

0.011640 oz

Tags

DMP45, DMP4, DMP