BSS138-G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Tecnología Comchip

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-23-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

50 V

Id - Corriente de drenaje continua:

0.22 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

3.5 Ohms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

0.8 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

0.35 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Estilo de terminación:

SMD / SMT

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Marca:

Tecnología Comchip

Transconductancia directa - Mín .:

0.12 S

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

18 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

36 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

5 ns

Tags

BSS138, BSS13, BSS1, BSS