DMN1008UFDF-7

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Diodos incorporados

Categoria de producto:

MOSFET

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

U-DFN2020-6

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

12 V

Id - Corriente de drenaje continua:

12.2 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

6.6 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

300 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

4.5 V

Qg - Carga de puerta:

13.6 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1.7 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Marca:

Diodos incorporados

Otoño:

7.5 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

6.6 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

17.5 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

3.5 ns

Tags

DMN100, DMN10, DMN1, DMN