DMN65D8LDW-7

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Diodos incorporados

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-363-6

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

60 V

Id - Corriente de drenaje continua:

200 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

6 Ohms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Qg - Carga de puerta:

870 pC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

400 mW

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Serie:

DMN63

Tipo de transistor:

2 N-Channel

Marca:

Diodos incorporados

Transconductancia directa - Mín .:

80 mS

Otoño:

6.3 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

3.2 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

12 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

3.3 ns

Unidad de peso:

0.000212 oz

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