IRL3202PBF

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-220-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

48 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

19 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Qg - Carga de puerta:

28.7 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

69 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Tubo

Altura:

15.65 mm

Longitud:

10 mm

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Escribe:

MOSFET de potencia HEXFET

Ancho:

4.4 mm

Marca:

Infineon / IR

Otoño:

82 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

100 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

63 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

9.8 ns

Parte # Alias:

SP001571790

Unidad de peso:

0.211644 oz

Tags

IRL3202, IRL320, IRL32, IRL3, IRL