STD24N06LT4G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TO-252-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

60 V

Id - Corriente de drenaje continua:

24 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

36 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

16 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

1.88 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Calificación:

AEC-Q101

Embalaje:

Carrete

Altura:

2.38 mm

Longitud:

6.22 mm

Producto:

MOSFET de potencia

Serie:

NTD24N06L

Escribe:

-

Ancho:

6.73 mm

Marca:

EN Semiconductor

Transconductancia directa - Mín .:

19 S

Otoño:

52 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

97 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

23 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

9.4 ns

Parte # Alias:

STD24N06LT4G-VF01

Unidad de peso:

0.139332 oz

Tags

STD24, STD2, STD