A2T08VD021NT1

A2T08VD021NT1
Mfr. #:
A2T08VD021NT1
Fabricante:
NXP Semiconductors
Descripción:
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor, 728 960 MHz, 2 W Avg., 48 V
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
A2T08VD021NT1 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Más información:
A2T08VD021NT1 más información A2T08VD021NT1 Product Details
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante:
NXP
Categoria de producto:
Transistores RF MOSFET
RoHS:
Y
Polaridad del transistor:
Canal N dual
Tecnología:
Si
Id - Corriente de drenaje continua:
80 mA
Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:
- 500 mV, 105 V
Ganar:
19.1 dB
Potencia de salida:
2 W
Temperatura mínima de funcionamiento:
- 40 C
Temperatura máxima de funcionamiento:
+ 150 C
Estilo de montaje:
SMD / SMT
Paquete / Caja:
PQFN-24
Embalaje:
Carrete
Frecuencia de operación:
728 MHz to 960 MHz
Escribe:
RF Power MOSFET
Marca:
Semiconductores NXP
Número de canales:
2 Channel
Sensible a la humedad:
Yes
Tipo de producto:
Transistores RF MOSFET
Cantidad de paquete de fábrica:
1000
Subcategoría:
MOSFET
Vgs - Voltaje puerta-fuente:
- 6 V, 10 V
Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:
1.3 V
Parte # Alias:
935361777528
Tags
A2T0, A2T
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Anti-Static Bag
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Packaging Boxes
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
A2T08VD021NT1
DISTI # A2T08VD021NT1-ND
NXP SemiconductorsAF3IC 800MHZ 20W PQFN8X8
RoHS: Compliant
Min Qty: 1000
Container: Tape & Reel (TR)
Temporarily Out of Stock
  • 1000:$12.3690
A2T08VD021NT1
DISTI # A2T08VD021NT1
Avnet, Inc.AF3IC 800MHZ 20W PQFN8X8 - Tape and Reel (Alt: A2T08VD021NT1)
RoHS: Compliant
Min Qty: 1000
Container: Reel
Americas - 0
  • 10000:$11.7900
  • 6000:$11.9900
  • 4000:$12.4900
  • 2000:$12.9900
  • 1000:$13.4900
A2T08VD021NT1
DISTI # 47AC8091
NXP SemiconductorsAIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTOR, 728 960 MHZ, 2 W AVG., 48 V REEL 13" Q2 DP0
  • 500:$12.0900
  • 250:$12.4700
  • 100:$14.2300
  • 50:$15.0700
  • 25:$16.7400
  • 10:$17.2100
  • 1:$18.4200
A2T08VD021NT1
DISTI # 771-A2T08VD021NT1
NXP SemiconductorsRF MOSFET Transistors A2T08VD021N/HQFN24///REEL 13 Q2 DP
RoHS: Compliant
0
  • 1000:$12.3700
A2T08VD021NT1
DISTI # A2T08VD021NT1
NXP SemiconductorsRF POWER TRANSISTOR
RoHS: Compliant
0
  • 1000:$15.8100
Imagen Parte # Descripción
A2T08VD020NT1

Mfr.#: A2T08VD020NT1

OMO.#: OMO-A2T08VD020NT1

RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor, 720-960 MHz, 2 W Avg., 48 V
A2T08VD021NT1

Mfr.#: A2T08VD021NT1

OMO.#: OMO-A2T08VD021NT1

RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor, 728 960 MHz, 2 W Avg., 48 V
A2T08VD020NT1

Mfr.#: A2T08VD020NT1

OMO.#: OMO-A2T08VD020NT1-NXP-SEMICONDUCTORS

AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
A2T08VD021NT1

Mfr.#: A2T08VD021NT1

OMO.#: OMO-A2T08VD021NT1-NXP-SEMICONDUCTORS

AF3IC 800MHZ 20W PQFN8X8
Disponibilidad
Valores:
Available
En orden:
4500
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