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NID5003NT4G

NID5003NT4G
Mfr. #:
NID5003NT4G
Fabricante:
ON Semiconductor
Descripción:
IGBT Transistors MOSFET 42V 20A N-Channel
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
NID5003NT4G Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante
EN Semiconductor
categoria de producto
PMIC - Interruptores de distribución de energía, controladores de carga
Serie
HDPlus
embalaje
Digi-ReelR
Unidad de peso
0.139332 oz
Estilo de montaje
SMD / SMT
Paquete-Estuche
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Tecnología
Si
Tipo de entrada
No inversor
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de salida
Canal N
Características
Reinicio automático, velocidad de respuesta controlada
Número de canales
1 Channel
Interfaz
Encendido apagado
Paquete de dispositivo de proveedor
DPAK-3
Relación de entrada: salida
1899/12/30 1:01:00
Configuración
Único
Número de salidas
1
Suministro de voltaje Vcc-Vdd
Not Required
Protección contra fallas
Limitación de corriente (fija), sobretemperatura, sobretensión
Configuración de salida
Lado bajo
Rds-On-Typ
42 mOhm
Carga de voltaje
42V (Max)
Salida de corriente máxima
20A
Tipo de interruptor
General Purpose
Tipo transistor
1 N-Channel
Disipación de potencia Pd
2.3 W
Temperatura máxima de funcionamiento
+ 150 C
Temperatura mínima de funcionamiento
- 55 C
Vgs-Puerta-Fuente-Voltaje
14 V
Id-corriente-de-drenaje-continua
20 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
42 V
Resistencia a la fuente de desagüe de Rds
42 mOhms
Polaridad del transistor
Canal N
Modo de canal
Mejora
Tags
NID5003N, NID5003, NID5, NID
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***Semiconductor
Self-Protected FET with Temperature and Current Limit, 42 V Clamp, 20 A, Single N-Channel
***ure Electronics
N-Channel 42 V 42 mOhm 1.3 W Surface Mount Self-Protected FET - TO-252-3
***p One Stop Global
Trans MOSFET N-CH 42V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
***ical
Self-Protected FET with Temperature and Current Limit
***i-Key
MOSFET PWR HD+ 20A 42V ESD DPAK
***ser
MOSFETs- Protected 42V 20A N-Channel
***ark
SMART MOSFET, N, 42V, 1.3W, D-PAK; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:42V; Current, Id Cont:20A; Resistance, Rds On:0.042ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:1.7V; Case ;RoHS Compliant: Yes
***ment14 APAC
Prices include import duty and tax. SMART MOSFET, N, 42V, 1.3W, D-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:20A; Drain Source Voltage Vds:42V; On Resistance Rds(on):0.042ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.7V; Power Dissipation Pd:2.3W; Transistor Case Style:TO-252; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (15-Jan-2018); Avalanche Single Pulse Energy Eas:400mJ; Current Id Max:20A; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Pin Configuration:1(G),2(D),3(S); Shutdown Temperature:175°C; Termination Type:Surface Mount Device; Voltage Vds Typ:42V; Voltage Vgs Max:14VDC; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:2.2V; Voltage Vgs th Min:1V
***nell
SMART MOSFET, N, 42V, 1.3W, D-PAK; Biegunowość tranzystora:Kanał N; Prąd ciągły Id drenu:20A; Napięcie drenu / źródła Vds:42V; Rezystancja przewodzenia Rds(on):0.042ohm; Napięcie Vgs pomiaru Rds(on):10V; Napięcie progowe Vgs:1.7V; Straty mocy Pd:2.3W; Rodzaj obudowy tranzystora:TO-252; Liczba pinów:3piny/-ów; Temperatura robocza, maks.:150°C; Asortyment produktów:-; Kwalifikacja motoryzacyjna:-; Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL:MSL 1 - nieograniczone; Substancje SVHC:No SVHC (15-Jan-2018); Konfiguracja pinów:1(G),2(D),3(S); Lawinowa energia jednego impulsu Eas:400mJ; Maks. prąd Id:20A; Napięcie Vds, typ.:42V; Napięcie Vgs pomiaru Rds on:10V; Napięcie Vgs th, maks.:2.2V; Napięcie Vgs th, min.:1V; Napięcie Vgs, maks.:14VDC; Temperatura robocza, min.:-55°C; Temperatura wyłączania:175°C; Typ zakończenia:Do montażu powierzchniowego; Zakres temperatury roboczej:-55°C do +150°C
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
NID5003NT4G
DISTI # NID5003NT4GOSTR-ND		ON SemiconductorMOSFET PWR HD+ 20A 42V ESD DPAK
RoHS: Compliant
Min Qty: 2500
Container: Tape & Reel (TR)		Limited Supply - Call
    NID5003NT4G
    DISTI # NID5003NT4GOSCT-ND    		ON SemiconductorMOSFET PWR HD+ 20A 42V ESD DPAK
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 1
    Container: Cut Tape (CT)    		Limited Supply - Call
      NID5003NT4G
      DISTI # NID5003NT4GOSDKR-ND      		ON SemiconductorMOSFET PWR HD+ 20A 42V ESD DPAK
      RoHS: Compliant
      Min Qty: 1
      Container: Digi-Reel®      		Limited Supply - Call
        NID5003NT4G
        DISTI # 863-NID5003NT4G        		ON SemiconductorMOSFET 42V 20A N-Channel
        RoHS: Compliant        		0
          NID5003NT4
          DISTI # 863-NID5003NT4          		ON SemiconductorMOSFET 42V 20A N-Channel
          RoHS: Not compliant          		0
            NID5003NT4G
            DISTI # 1453665            		ON SemiconductorSMART MOSFET, N, 42V, 1.3W, D-PAK
            RoHS: Compliant            		0
            • 2500:$0.8770
            • 1000:$0.9570
            • 500:$1.3200
            • 100:$1.5000
            • 10:$1.8200
            • 1:$2.1900
            Imagen Parte # Descripción
            NID5004NT4G

            Mfr.#: NID5004NT4G

            OMO.#: OMO-NID5004NT4G

            		 Gate Drivers POWER MICROINTEGRAT
            NID5001NT4G

            Mfr.#: NID5001NT4G

            OMO.#: OMO-NID5001NT4G

            		 MOSFET 42V 33A N-Channel
            NID5003NT4G

            Mfr.#: NID5003NT4G

            OMO.#: OMO-NID5003NT4G

            		 MOSFET 42V 20A N-Channel
            NID5003NT4G

            Mfr.#: NID5003NT4G

            OMO.#: OMO-NID5003NT4G-ON-SEMICONDUCTOR

            		 IGBT Transistors MOSFET 42V 20A N-Channel
            NID5001

            Mfr.#: NID5001

            OMO.#: OMO-NID5001-1190

            		 Nuevo y original
            NID5001N

            Mfr.#: NID5001N

            OMO.#: OMO-NID5001N-1190

            		 Nuevo y original
            NID5001NT4

            Mfr.#: NID5001NT4

            OMO.#: OMO-NID5001NT4-ON-SEMICONDUCTOR

            		 MOSFET N-CH 42V 33A DPAK
            NID5001NT4G

            Mfr.#: NID5001NT4G

            OMO.#: OMO-NID5001NT4G-ON-SEMICONDUCTOR

            		 MOSFET PWR HD+ 33A 42V ESD DPAK
            NID5003N

            Mfr.#: NID5003N

            OMO.#: OMO-NID5003N-1190

            		 Nuevo y original
            NID5003NT4

            Mfr.#: NID5003NT4

            OMO.#: OMO-NID5003NT4-ON-SEMICONDUCTOR

            		 MOSFET N-CH 42V 20A DPAK
            Disponibilidad
            Valores:
            Available
            En orden:
            1500
            Ingrese la cantidad:
            El precio actual de NID5003NT4G es solo de referencia, si desea obtener el mejor precio, envíe una consulta o envíe un correo electrónico directo a nuestro equipo de ventas [email protected]
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            Ext. Precio
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            0,00 US$
            0,00 US$
            10
            0,00 US$
            0,00 US$
            100
            0,00 US$
            0,00 US$
            500
            0,00 US$
            0,00 US$
            1000
            0,00 US$
            0,00 US$
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