DMC3025LSDQ-13

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Diodos incorporados

Categoria de producto:

MOSFET

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SO-8

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N, canal P

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

8.5 A, 5.5 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

20 mOhms, 45 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1 V, 2 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

9.8 nC, 10.5 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1.5 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Calificación:

AEC-Q101

Embalaje:

Carrete

Marca:

Diodos incorporados

Transconductancia directa - Mín .:

8 S, 5 S

Otoño:

5.8 ns, 12.4 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

4.2 ns, 4.9 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

16.6 ns, 28.4 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

3.9 ns, 6.8 ns

Unidad de peso:

0.000282 oz

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