NDT452P

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

N

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-223-4

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

3 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

180 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 65 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

3 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Altura:

1.8 mm

Longitud:

6.5 mm

Tipo de transistor:

1 P-Channel

Ancho:

3.5 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Otoño:

8 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

15 ns

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

25 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

8 ns

Unidad de peso:

0.003951 oz

Tags

NDT452, NDT45, NDT4, NDT