NJVMJD2955T4G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

Transistores bipolares - BJT

RoHS:

Y

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

DPAK-3

Polaridad del transistor:

PNP

Configuración:

Único

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

60 V

Colector- Voltaje base VCBO:

70 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

5 V

Voltaje de saturación colector-emisor:

1.1 V

Corriente máxima del colector de CC:

10 A

Producto de ganancia de ancho de banda fT:

2 MHz

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Serie:

MJD2955

Ganancia de corriente CC hFE Max:

100 at 4 A, 10 VDC

Altura:

2.38 mm

Longitud:

6.73 mm

Embalaje:

Carrete

Ancho:

6.22 mm

Marca:

EN Semiconductor

Colector de CC / Ganancia base hfe Min:

20 at 4 A, 10 VDC

Pd - Disipación de energía:

20 W

Tipo de producto:

BJT - Transistores bipolares

Calificación:

AEC-Q101

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

Transistores

Unidad de peso:

0.009185 oz

Tags

NJVMJD2, NJVMJD, NJVM, NJV