IRFD110PBF

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Vishay

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

E

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

HVMDIP-4

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

100 V

Id - Corriente de drenaje continua:

1 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

540 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Qg - Carga de puerta:

8.3 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

1.3 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Tubo

Altura:

3.37 mm

Longitud:

6.29 mm

Serie:

IRFD

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

5 mm

Marca:

Vishay / Siliconix

Transconductancia directa - Mín .:

0.8 S

Otoño:

9.4 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

16 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

15 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

6.9 ns

Unidad de peso:

0.010582 oz

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