NVMFD5C466NLT1G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

DFN-8

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

40 V

Id - Corriente de drenaje continua:

52 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

6.2 mOhms, 6.2 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.2 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

16 nC, 16 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

40 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Calificación:

AEC-Q101

Embalaje:

Carrete

Serie:

NVMFD5C466NL

Tipo de transistor:

2 N-Channel

Marca:

EN Semiconductor

Transconductancia directa - Mín .:

33 S, 33 S

Otoño:

60 ns, 60 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

67 ns, 67 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

1500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

26 ns, 26 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

10 ns, 10 ns

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