2SA1020G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

Transistores bipolares - BJT

RoHS:

Y

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-92-3

Polaridad del transistor:

PNP

Configuración:

Único

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

50 V

Colector- Voltaje base VCBO:

50 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

5 V

Voltaje de saturación colector-emisor:

0.5 V

Corriente máxima del colector de CC:

2 A

Producto de ganancia de ancho de banda fT:

100 MHz

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Altura:

7.87 mm

Longitud:

5.21 mm

Embalaje:

A granel

Ancho:

4.19 mm

Marca:

EN Semiconductor

Corriente continua del colector:

2 A

Colector de CC / Ganancia base hfe Min:

70

Pd - Disipación de energía:

900 mW

Tipo de producto:

BJT - Transistores bipolares

Cantidad de paquete de fábrica:

5000

Subcategoría:

Transistores

Tags

2SA1020G, 2SA1020, 2SA102, 2SA10, 2SA1, 2SA