IRF7707GTRPBF

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TSSOP-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

7 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

22 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.2 V

Qg - Carga de puerta:

47 nC

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1.5 W

Configuración:

Único

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.2 mm

Longitud:

4.4 mm

Tipo de transistor:

1 P-Channel

Ancho:

3 mm

Marca:

Infineon / IR

Transconductancia directa - Mín .:

15 S

Otoño:

207 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

81 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

4000

Subcategoría:

MOSFET

Parte # Alias:

SP001565642

Unidad de peso:

0.005573 oz

Tags

IRF7707, IRF770, IRF77, IRF7, IRF