PTFA080551E V1

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

Transistores RF MOSFET

RoHS:

Y

Polaridad del transistor:

Canal N

Tecnología:

Si

Id - Corriente de drenaje continua:

600 mA

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

65 V

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

150 mOhms

Ganar:

18.5 dB

Potencia de salida:

55 W

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 40 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

H-36265-2

Embalaje:

Bandeja

Configuración:

Único

Altura:

3.56 mm

Longitud:

20.31 mm

Frecuencia de operación:

869 MHz to 960 MHz

Escribe:

RF Power MOSFET

Ancho:

15.34 mm

Marca:

Infineon Technologies

Pd - Disipación de energía:

219 W

Tipo de producto:

Transistores RF MOSFET

Subcategoría:

MOSFET

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

12 V

Tags

PTFA080551EV, PTFA080551E, PTFA0805, PTFA080, PTFA08, PTFA0, PTFA, PTF