GA06JT12-247

GA06JT12-247
Mfr. #:
GA06JT12-247
Fabricante:
GeneSiC Semiconductor
Descripción:
IGBT Transistors MOSFET SiC Super Junc Trans 1200V-Rds 230mO-6A
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
GA06JT12-247 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante
Semiconductor GeneSiC
categoria de producto
Transistores - FET, MOSFET - Sencillo
Serie
GA06JT12
embalaje
Tubo
Unidad de peso
1.340411 oz
Estilo de montaje
A través del orificio
Paquete-Estuche
TO-247-3
Tecnología
Sic
Número de canales
1 Channel
Configuración
Único
Tipo transistor
1 N-Channel
Disipación de potencia Pd
9 W
Temperatura máxima de funcionamiento
+ 175 C
Temperatura mínima de funcionamiento
- 55 C
Id-corriente-de-drenaje-continua
6 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
1200 V
Resistencia a la fuente de desagüe de Rds
220 mOhms
Polaridad del transistor
Canal N
Tags
GA06, GA0
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Packaging Boxes
***ark
SIC JUNCTION TRANSISTOR, 1.2KV, 6A, TO-247AB
***i-Key
TRANS SJT 1200V 6A TO-247AB
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
GA06JT12-247
DISTI # 1242-1165-ND
GeneSic Semiconductor IncTRANS SJT 1200V 6A TO-247AB
RoHS: Compliant
Min Qty: 1260
Container: Tube
Limited Supply - Call
    GA06JT12-247
    DISTI # 905-GA06JT12-247
    GeneSic Semiconductor IncMOSFET SiC Super Junc Trans 1200V-Rds 230mO-6A
    RoHS: Compliant
    0
      Imagen Parte # Descripción
      GA06JT12-247

      Mfr.#: GA06JT12-247

      OMO.#: OMO-GA06JT12-247

      MOSFET SiC Super Junc Trans 1200V-Rds 230mO-6A
      GA06JT12-247

      Mfr.#: GA06JT12-247

      OMO.#: OMO-GA06JT12-247-GENESIC-SEMICONDUCTOR

      IGBT Transistors MOSFET SiC Super Junc Trans 1200V-Rds 230mO-6A
      Disponibilidad
      Valores:
      Available
      En orden:
      1500
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      0,00 US$
      500
      0,00 US$
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