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TGF2956

TGF2956
Mfr. #:
TGF2956
Fabricante:
Qorvo
Descripción:
RF JFET Transistors DC-12GHz 55W 32V GaN P3dB @ 3GHz 47.6dBm
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
TGF2956 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Más información:
TGF2956 más información
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante:
Qorvo
Categoria de producto:
Transistores RF JFET
RoHS:
Y
Tipo de transistor:
HEMT
Tecnología:
GaN SiC
Ganar:
20.4 dB
Polaridad del transistor:
Canal N
Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:
32 V
Id - Corriente de drenaje continua:
480 mA
Potencia de salida:
38.4 dBm
Voltaje máximo de la puerta de drenaje:
100 V
Temperatura mínima de funcionamiento:
- 65 C
Temperatura máxima de funcionamiento:
+ 150 C
Pd - Disipación de energía:
10.5 W
Estilo de montaje:
SMD / SMT
Paquete / Caja:
Die
Embalaje:
Paquete de gel
Configuración:
Único
Frecuencia de operación:
15 GHz
Rango de temperatura de funcionamiento:
- 65 C to + 150 C
Marca:
Qorvo
Tipo de producto:
Transistores RF JFET
Cantidad de paquete de fábrica:
50
Subcategoría:
Transistores
Parte # Alias:
1111797
Tags
TGF295, TGF29, TGF2, TGF
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***W
RF Power Transistor, DC to 12 GHz, 55 W, 19.3 dB, 32 V, GaN, DIE
TGF GaN on SiC Transistors
Qorvo TGF GaN on SiC Transistors for the Satellite, P to P, and Military communications along with Marine radar and Test and instrumentation. These are small footprint (dies) that handle high power (7W to 70W) and high frequency, up to 14GHz.
QPD GaN RF Transistors
Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
TGF2956
DISTI # 772-TGF2956		QorvoRF JFET Transistors DC-12GHz 55W 32V GaN P3dB @ 3GHz 47.6dBm
RoHS: Compliant		100
  • 50:$71.5800
  • 100:$63.2500
1112248
DISTI # TGF2956		QorvoRF POWER TRANSISTOR
RoHS: Compliant		0
  • 1:$8.3000
Imagen Parte # Descripción
TGF280L

Mfr.#: TGF280L

OMO.#: OMO-TGF280L

 Thermal Interface Products Thermal Gap Fill Pad
TGF50-07870787-039

Mfr.#: TGF50-07870787-039

OMO.#: OMO-TGF50-07870787-039-LEADER-TECH

 Thermal Gap Filler/Grey 6.0W/m-K
TGF2819-FL

Mfr.#: TGF2819-FL

OMO.#: OMO-TGF2819-FL-318

 RF JFET Transistors DC-3.5GHz 32V GaN PAE 58% at 3.3GHz
TGF2021-01

Mfr.#: TGF2021-01

OMO.#: OMO-TGF2021-01-318

 RF JFET Transistors DC-12GHz 1mm Pwr pHEMT (0.35um)
TGF2023-2-02

Mfr.#: TGF2023-2-02

OMO.#: OMO-TGF2023-2-02-318

 RF JFET Transistors DC-18GHZ 12W TQGaN25 PAE 73.3% Gain 21dB
TGF120-EPU-SOT89

Mfr.#: TGF120-EPU-SOT89

OMO.#: OMO-TGF120-EPU-SOT89-1190

 Nuevo y original
TGF148-1200B

Mfr.#: TGF148-1200B

OMO.#: OMO-TGF148-1200B-1190

 Nuevo y original
TGF2021-04SD

Mfr.#: TGF2021-04SD

OMO.#: OMO-TGF2021-04SD-1190

 Nuevo y original
TGF2023

Mfr.#: TGF2023

OMO.#: OMO-TGF2023-1190

 Nuevo y original
TGF2960-SD

Mfr.#: TGF2960-SD

OMO.#: OMO-TGF2960-SD-1190

 Nuevo y original
Disponibilidad
Valores:
Available
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71,58 US$
3 579,00 US$
100
63,25 US$
6 325,00 US$
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