DMN3033LDM-7

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Diodos incorporados

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-26-6

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

6.9 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

25 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2.1 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

13 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

2 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.1 mm

Longitud:

3 mm

Producto:

Pequeña señal MOSFET

Serie:

DMN3033

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

1.6 mm

Marca:

Diodos incorporados

Otoño:

30 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

7 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

63 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

11 ns

Unidad de peso:

0.000529 oz

Tags

DMN3033LD, DMN3033, DMN303, DMN30, DMN3, DMN