TSM130NB06CR RLG

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor de Taiwán

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

PDFN56-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

60 V

Id - Corriente de drenaje continua:

51 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

13 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

36 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

83 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Serie:

TSM

Tipo de transistor:

MOSFET de potencia de canal N único

Marca:

Semiconductor de Taiwán

Transconductancia directa - Mín .:

45 S

Otoño:

17 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

19 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

17 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

3 ns

Tags

TSM13, TSM1, TSM