IXFA5N100P

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

IXYS

Categoria de producto:

MOSFET

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TO-263-3

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

1 kV

Id - Corriente de drenaje continua:

5 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

2.8 Ohms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

6 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

30 V

Qg - Carga de puerta:

33.4 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

250 W

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

HiPerFET

Embalaje:

Tubo

Altura:

4.83 mm

Longitud:

9.65 mm

Serie:

IXFA5N100

Escribe:

Polar Power MOSFET HiPerFET

Ancho:

10.41 mm

Marca:

IXYS

Transconductancia directa - Mín .:

2.4 S

Otoño:

37 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

13 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

50

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

30 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

12 ns

Unidad de peso:

0.081130 oz

Tags

IXFA5N, IXFA5, IXFA, IXF