NVMFD5C650NLT1G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

DFN-8

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

60 V

Id - Corriente de drenaje continua:

111 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

3.5 mOhms, 3.5 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.2 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

37 nC, 37 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

125 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Calificación:

AEC-Q101

Embalaje:

Carrete

Serie:

NVMFD5C650NL

Tipo de transistor:

2 N-Channel

Marca:

EN Semiconductor

Transconductancia directa - Mín .:

120 S, 120 S

Otoño:

13 ns, 13 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

24 ns, 24 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

1500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

37 ns, 37 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

13 ns, 13 ns

Tags

NVMFD5C6, NVMFD5C, NVMFD, NVMF, NVM