TK3R1E04PL,S1X

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Toshiba

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-220-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

40 V

Id - Corriente de drenaje continua:

128 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

2.5 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.4 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

63.4 nC

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

87 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Altura:

15.1 mm

Longitud:

10.16 mm

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

4.45 mm

Marca:

Toshiba

Otoño:

27 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

12 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

50

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

83 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

28 ns

Unidad de peso:

0.063493 oz

Tags

TK3R1E, TK3R1, TK3R, TK3