QS6M4TR

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor ROHM

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-457T-6

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N, canal P

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V, 20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

1.5 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

260 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

12 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1.25 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.85 mm

Longitud:

2.9 mm

Producto:

Pequeña señal MOSFET

Serie:

QS6M4

Tipo de transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Escribe:

MOSFET

Ancho:

1.6 mm

Marca:

Semiconductor ROHM

Otoño:

18 ns, 12 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

18 ns, 12 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

15 ns, 45 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

7 ns, 10 ns

Parte # Alias:

QS6M4

Unidad de peso:

0.000494 oz

Tags

QS6M4, QS6M, QS6