SIHA2N80E-GE3

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Vishay

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-220-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

800 V

Id - Corriente de drenaje continua:

2.8 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

2.75 Ohms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

30 V

Qg - Carga de puerta:

19.6 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

29 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Serie:

E

Marca:

Vishay / Siliconix

Transconductancia directa - Mín .:

1 S

Otoño:

27 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

7 ns

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

19 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

11 ns

Tags

SIHA2, SIHA, SIH