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SIS427EDN-T1-GE3

SIS427EDN-T1-GE3
Mfr. #:
SIS427EDN-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
Descripción:
RF Bipolar Transistors MOSFET -30V 10.6mOhm@-10V -50A P-CH
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
SIS427EDN-T1-GE3 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante
VISHAY
categoria de producto
FET - Single
Serie
TrincheraFETR
embalaje
Embalaje alternativo de Digi-ReelR
Estilo de montaje
SMD / SMT
Nombre comercial
TrenchFET
Paquete-Estuche
PowerPAKR 1212-8
Tecnología
Si
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Número de canales
1 Channel
Paquete de dispositivo de proveedor
PowerPAKR 1212-8
Configuración
Único
Tipo FET
Canal P MOSFET, óxido metálico
Potencia máxima
52W
Tipo transistor
1 P-Channel
Drenaje-a-fuente-voltaje-Vdss
30V
Entrada-Capacitancia-Ciss-Vds
1930pF @ 15V
Función FET
Estándar
Corriente-Continuo-Drenaje-Id-25 ° C
50A (Tc)
Rds-On-Max-Id-Vgs
10.6 mOhm @ 11A, 10V
Vgs-th-Max-Id
2.5V @ 250μA
Puerta-Carga-Qg-Vgs
66nC @ 10V
Disipación de potencia Pd
52 W
Temperatura máxima de funcionamiento
+ 150 C
Temperatura mínima de funcionamiento
- 55 C
Otoño
12 ns
Hora de levantarse
40 ns
Vgs-Puerta-Fuente-Voltaje
25 V
Id-corriente-de-drenaje-continua
- 50 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
- 30 V
Vgs-th-Gate-Source-Threshold-Voltage
- 2.5 V
Resistencia a la fuente de desagüe de Rds
17.7 mOhms
Polaridad del transistor
P-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico
28 ns
Tiempo de retardo de encendido típico
45 ns
Qg-Gate-Charge
43.5 nC
Transconductancia directa-Mín.
32 S
Tags
SIS42, SIS4, SIS
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et Europe
Trans MOSFET P-CH 30V 15A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
***ment14 APAC
MOSFET, P CH, -30V, -50A, POWERPAK1212-8
***ark
N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
SIS427EDN-T1-GE3
DISTI # V72:2272_09216167		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 15A 8-Pin PowerPAK EP T/R
RoHS: Compliant		303
  • 250:$0.3636
  • 100:$0.3675
  • 25:$0.4569
  • 10:$0.4622
  • 1:$0.5479
SIS427EDN-T1-GE3
DISTI # SIS427EDN-T1-GE3CT-ND		Vishay SiliconixMOSFET P-CH 30V 50A 1212-8
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape (CT)		7895In Stock
  • 1000:$0.3263
  • 500:$0.4079
  • 100:$0.5506
  • 10:$0.7140
  • 1:$0.8200
SIS427EDN-T1-GE3
DISTI # SIS427EDN-T1-GE3DKR-ND		Vishay SiliconixMOSFET P-CH 30V 50A 1212-8
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Digi-Reel®		7895In Stock
  • 1000:$0.3263
  • 500:$0.4079
  • 100:$0.5506
  • 10:$0.7140
  • 1:$0.8200
SIS427EDN-T1-GE3
DISTI # SIS427EDN-T1-GE3TR-ND		Vishay SiliconixMOSFET P-CH 30V 50A 1212-8
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)		6000In Stock
  • 3000:$0.2871
SIS427EDN-T1-GE3
DISTI # 27066163		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 15A 8-Pin PowerPAK EP T/R
RoHS: Compliant		303
  • 250:$0.3636
  • 100:$0.3675
  • 28:$0.4569
SIS427EDN-T1-GE3
DISTI # SIS427EDN-T1-GE3		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 15A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R (Alt: SIS427EDN-T1-GE3)
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape and Reel		Asia - 15000
  • 3000:$3.4500
  • 6000:$2.3793
  • 9000:$1.7692
  • 15000:$1.4375
  • 30000:$1.3019
  • 75000:$1.2546
  • 150000:$1.2105
SIS427EDN-T1-GE3
DISTI # SIS427EDN-T1-GE3		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 15A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R - Tape and Reel (Alt: SIS427EDN-T1-GE3)
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Reel		Americas - 0
  • 3000:$0.2619
  • 6000:$0.2539
  • 12000:$0.2429
  • 18000:$0.2369
  • 30000:$0.2299
SIS427EDN-T1-GE3
DISTI # 99W9578		Vishay IntertechnologiesN-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET0
  • 1:$0.3100
  • 5000:$0.3030
  • 10000:$0.2790
  • 20000:$0.2610
  • 30000:$0.2430
  • 50000:$0.2330
SIS427EDN-T1-GE3
DISTI # 78-SIS427EDN-T1-GE3		Vishay IntertechnologiesMOSFET -30V Vds 25V Vgs PowerPAK 1212-8
RoHS: Compliant		3626
  • 1:$0.7200
  • 10:$0.5750
  • 100:$0.4360
  • 500:$0.3600
  • 1000:$0.2880
  • 3000:$0.2610
SIS427EDN-T1-GE3
DISTI # C1S803604990270		Vishay IntertechnologiesMOSFETs303
  • 250:$0.3636
  • 100:$0.3675
  • 25:$0.4569
  • 10:$0.4622
Imagen Parte # Descripción
SIS427EDN-T1-GE3

Mfr.#: SIS427EDN-T1-GE3

OMO.#: OMO-SIS427EDN-T1-GE3

 MOSFET -30V Vds 25V Vgs PowerPAK 1212-8
SIS427EDN-T1-GE3

Mfr.#: SIS427EDN-T1-GE3

OMO.#: OMO-SIS427EDN-T1-GE3-VISHAY

 RF Bipolar Transistors MOSFET -30V 10.6mOhm@-10V -50A P-CH
SIS427EDN-T1-E3

Mfr.#: SIS427EDN-T1-E3

OMO.#: OMO-SIS427EDN-T1-E3-1190

 Nuevo y original
Disponibilidad
Valores:
Available
En orden:
2500
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El precio actual de SIS427EDN-T1-GE3 es solo de referencia, si desea obtener el mejor precio, envíe una consulta o envíe un correo electrónico directo a nuestro equipo de ventas [email protected]
Precio de referencia (USD)
Cantidad
Precio unitario
Ext. Precio
1
0,34 US$
0,34 US$
10
0,33 US$
3,28 US$
100
0,31 US$
31,04 US$
500
0,29 US$
146,55 US$
1000
0,28 US$
275,90 US$
Debido a la escasez de semiconductores a partir de 2021, el precio inferior es el precio normal antes de 2021. Envíe una consulta para confirmar.
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