IPB17N25S3100ATMA1

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TO-263-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

250 V

Id - Corriente de drenaje continua:

17 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

85 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

19 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

107 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Calificación:

AEC-Q101

Embalaje:

Carrete

Altura:

4.4 mm

Longitud:

10 mm

Serie:

XPB17N25

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

9.25 mm

Marca:

Infineon Technologies

Otoño:

1.2 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

3.7 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

1000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

7.5 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

4.4 ns

Parte # Alias:

IPB17N25S3-100 IPB17N25S31XT SP000876560

Unidad de peso:

0.139332 oz

Tags

IPB1, IPB