SPD30P06P G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TO-252-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

60 V

Id - Corriente de drenaje continua:

30 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

75 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2.1 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Qg - Carga de puerta:

32 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

125 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

SIPMOS

Embalaje:

Carrete

Altura:

2.3 mm

Longitud:

6.5 mm

Serie:

SPD30P06

Tipo de transistor:

1 P-Channel

Ancho:

6.22 mm

Marca:

Infineon Technologies

Transconductancia directa - Mín .:

5.2 S

Otoño:

20 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

11 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

30 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

13 ns

Parte # Alias:

SP000441776 SPD30P06PGBTMA1 SPD3P6PGXT

Unidad de peso:

0.139332 oz

Tags

SPD30P06PG, SPD30P06P, SPD30P0, SPD30P, SPD30, SPD3, SPD