NTF5P03T3G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-223-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

5.2 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

150 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

4.5 V

Qg - Carga de puerta:

15 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

3.13 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.57 mm

Longitud:

6.5 mm

Serie:

NTF5P03

Tipo de transistor:

1 P-Channel

Escribe:

MOSFET

Ancho:

3.5 mm

Marca:

EN Semiconductor

Transconductancia directa - Mín .:

2 S

Otoño:

20 ns, 24 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

33 ns, 45 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

4000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

38 ns, 23 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

10 ns, 16 ns

Unidad de peso:

0.008818 oz

Tags

NTF5P03T3, NTF5P03T, NTF5P, NTF5, NTF