NSS40301MDR2G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

Transistores bipolares - BJT

RoHS:

Y

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOIC-Narrow-8

Polaridad del transistor:

NPN

Configuración:

Doble

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

40 V

Colector- Voltaje base VCBO:

40 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

6 V

Corriente máxima del colector de CC:

3 A

Producto de ganancia de ancho de banda fT:

100 MHz

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Serie:

NSS40301MD

Ganancia de corriente CC hFE Max:

200 at 10 mA, 2 V

Altura:

1.5 mm

Longitud:

5 mm

Embalaje:

Carrete

Ancho:

4 mm

Marca:

EN Semiconductor

Colector de CC / Ganancia base hfe Min:

200 at 10 mA, 2 V, 200 at 500 mA, 2 V, 180 at 1 A, 2 V, 180 at 2 A, 2 V

Pd - Disipación de energía:

783 mW

Tipo de producto:

BJT - Transistores bipolares

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

Transistores

Unidad de peso:

0.005044 oz

Tags

NSS40301MDR, NSS40301MD, NSS40301, NSS403, NSS40, NSS4, NSS